650 V ICeGaN® 功率 IC
GaN 现已实现真正的易用性
ICeGaN® - 一种采用集成栅极技术的增强模式 (e-Mode) GaN HEMT，专为消费者、数据中心、电机驱动器和其他工业应用而设计。
长期以来一直有预测指出：GaN 功率晶体管有望为各种功率应用提供更高的效率和功率密度。虽然与传统材料相比，GaN 性能优势明显，但业界采用过程中仍不可避免会遇到一些问题，这需要长期且成本高昂的设计工作。多年来，使用 GaN HEMT 轻松替换老产品 Si MOSFET，实现性能提升，这种想法一直难以实现。
CGD 可以提供真正易于使用的 ICeGaN 晶体管：一种单芯片解决方案，具有 3 V 阈值电压、真正的 0 V 关断和革命性的栅极概念，工作电压可高达 20 V。因此，ICeGaN® 可以像 MOSFET 一样运行，而无需特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的工作电路或额外的钳位元件，也没有负电压电源要求。
ICeGaN® 产品系列
H1 和 H2 系列
主要特性
- 单芯片 e-Mode GaN HEMT
- ICeGaN® 栅极技术
- 集成米勒钳位
- 电流检测功能
- （H2 系列）创新的全集成 NL3 * 电路
- 底端冷却 DFN 封装
主要优势
- 超快速开关频率
- 高效率
- 兼容 Si/SiC MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器
- 宽栅极驱动电压 (9-20 V)
- 对 dv/dt 引起的直通事件具有抗扰性
- 真正的 0 V 关断实现简单的栅极驱动
- 出色的栅极稳健性
- （H2 系列）无负载和轻负载运行下的功耗创新低
应用
- 消费类和低功耗工业应用
P2 系列
主要特性
- 单芯片 e-Mode GaN HEMT
- ICeGaN® 栅极技术
- 集成米勒钳位
- 提供底端冷却和双面冷却的热增强型封装
- 可湿焊盘便于进行自动光学检测
- 双栅极引脚配置
主要优势
- 高效率
- 兼容 Si MOSFET、SiC 和 IGBT 栅极驱动器
- 宽栅极驱动电压 (9-20 V)
- 对 dv/dt 引起的直通事件具有抗扰性
- 真正的 0 V 关断功能实现简单的栅极驱动
- 出色的栅极稳健性
- 在高功率应用中优化散热效果
- 快速导通时间实现高工作频率
- 轻松并联
应用
- 数据中心和电信 SMPS、工业电机驱动器、光伏逆变器、不间断电源、储能系统
产品表
注意：*表中所有值适用于 25°C，另见产品数据表，**见 CGD-WP2201，***见 CGD-AN2206
下载文档
数据表
产品简介
H1 系列产品介绍（简体中文）
2022-03-21 | .pdf | 8425.47KB
H2 系列产品介绍（简体中文）
2024-08-26 | .pdf | 6639.82KB
P2 系列产品介绍（简体中文）
2024-08-26 | .pdf | 1303.6KB
应用文档
CGD-AN2206-Current Sensing with ICeGaN Application Note_CN
2022-03-28 | .pdf | 2501.79KB
CGD_AN2207_ICeGaN_HEMT PCB_Layout_Guide_CN
2022-03-28 | .pdf | 1968.32KB
CGD-AN2201-ICeGaN in LLC Application Note_CN
2022-03-25 | .pdf | 2611.19KB
CGD-AN2301-Parallel Operation of GaN Power HEMTs_CN
2024-02-05 | .pdf | 3488.5KB
CGD-AN2401-ICeGaN DHDFN package
2024-07-14 | .pdf | 1126.17KB