650 V / 200 mOhm GaN HEMT，具有 ICeGaN® 栅极和电流检测

CGD65B200S2 是一种增强模式硅上氮化镓功率晶体管，利用 GaN 的独特材料特性为各种电子器件应用提供高电流、高击穿电压和高开关频率。

CGD65B200S2 采用 CGD ICeGaN® 栅极技术，可兼容几乎所有可用栅极驱动器和控制器芯片。集成电流检测功能，无需单独电流检测电阻器，消除了相关效率损耗。无需外部检测电阻，器件可直接焊接到接地平面的大面积覆铜区域，提高了热性能，简化了热设计。

采用 DFN 5x6 SMD 封装，支持高频操作，同时确保了最高的热性能。

不推荐在新设计中采用H1系列器件。

应用：

• PSU、工业 SMPS 和逆变器
• 移动充电器、快速充电器
• AC 适配器
• 笔记本适配器
• 游戏 PSU
• 电脑电源
• LED 照明
• D 类音频产品
• 电视和无线电源
• 具有硬开关或软开关的单开关和半桥拓扑 SMPS 和转换器
• AC/DC 和 DC/DC 转换器

拓扑：

• 所有反激式拓扑
• 图腾柱和单开关 PFC
• 高频 LLC、PSFB DC/DC 转换器
• D 类和 E 类