与传统硅器件相比，氮化镓 (GaN) 电子器件开关速度更快，能耗更低。使用 GaN 可实现超过 99% 的能源效率，使新一代紧凑且更轻的功率转换器可减少对环境的影响。

从历史上看，GaN 晶体管始终难以操作。每个制造商都建议使用额外组件，甚至是定制的栅极驱动器，以确保晶体管安全可靠地工作。

CGD 推出 ICeGaN® 技术：一种业界首创的增强模式 GaN 晶体管，可像硅 MOSFET 一样工作，无需特殊栅极驱动器、驱动电路或独特的栅极电压钳位机制。CGD GaN 技术无需在级联或直接驱动配置中将 GaN 与 Si MOSFET 配对，采用的是低剖面/低电感封装的单芯片 eMode GaN。

用户可使用标准、现成的栅极驱动器操作 CGD GaN 器件，电压最高可达 20-22 V。内置米勒钳位，阈值电压设置在 3 V 左右，用户无需负栅极电压来保持器件在本应处于关断状态时关断。

此外，CGD 还引入电流检测等额外的集成功能，因此用户可节省检测电阻等外部组件。最重要的是，通过将 CGD GaN 接地，可显着改善器件冷却性能，从而可使用小型组件，并显着降低系统的运行温度。