Cambridge GaN Devices (CGD) 获得3,200万美元融资，以推动在全球功率半导体领域的增长
氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。
CGD 新型 ICeGaN GaN 功率 IC 使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率
CGD 推出新型 ICeGaN™ P2系列 IC。该系列采用新颖的芯片和封装设计，导通电阻(RDS(on)低至25 mΩ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
Cambridge GaN Devices (CGD) 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。
CGD与中国台湾绿能与环境研究所签署GaN电源开发谅解备忘录
CGD 与中国台湾绿能与环境研究所 (ITRI) 为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W USB-PD适配器。
CGD 与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建 GaN 生态系统
Cambridge GaN Devices 与台湾群光电能科技有限公司和英国剑桥大学技术服务部签署了三方协议，共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性
CGD 创新性地在 GaN IC 上融入单独的二维条形码，并可通过标准商用读码器读取。这对于提供有关工艺稳健性和可靠性的重要数据具有重要意义。
CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
在8月29日至31日，CGD 将在中国首推其第二个易用可靠的 ICeGaN™ GaN HEMT 产品系列。此外，CGD 将在展台中进行完整的产品演示，还将进行一场主题演讲和两场技术应用展示。
CGD 与高品质服务领航者 DigiKey 达成全球分销协议
CGD 宣布与高品质服务领航者 DigiKey 签订分销协议。根据全球协议条款，CGD 将提供易用、坚固且高效的 ICeGaN™ HEMT 及相关产品，工程师可通过 DigiKey 订购相应产品。
Cambridge GaN Devices (CGD) 首席技术官 Florin Udrea 入选著名的 ISPSD 名人堂
ISPSD 名人堂旨在表彰在推动功率半导体技术以及在维持 ISPSD 成功发展方面做出巨大贡献的个人。在对 Udrea 的表彰中这样说道：“Florin Udrea 对功率半导体领域的杰出贡献以及对 ISPSD 的多方助益，激励着一代又一代工程师在功率半导体领域去追求卓越。”
Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大会上展示电力电子装置的可持续未来
CGD 将在 305 号展台上进行一系列展示，包括业界首个简单易用且可扩展的 650V GaN HEMT 系列。
CGD 生产的易于使用、坚固可靠的 ICeGaN GaN HEMT 现已大量上市
CGD 今日宣布其 ICeGaN™ 智能 HEMT、单片集成功率解决方案现已可以批量出货。此外，业界首个易于使用和可扩展的 650V GaN HEMT 系列也有望成为业界最耐用的 GaN 平台。
Cambridge GaN Devices 获 1900 万美元 B 轮融资，加速拓展 GaN 市场
由 Parkwalk 和 BGF 主导的募资将使 CGD 实现 GaN 晶体管系列的量产目标，并为全球可持续发展做出贡献
Cambridge GaN Devices 总部迁入新址，办公空间扩大一倍
为顺应总部业务的增长，Cambridge GaN Devices 将办公空间扩大一倍，进驻位于剑桥北的圣约翰创新园。
Cambridge GaN Devices 携其首组商用产品首次亮相 APEC
业内首款易于使用的 eMode 650 V 氮化镓 (GaN) 解决方案——由本公司享有专利的 ICeGaN™ 技术提供动力——树立能效新标准，减轻工程师的设计导入负担