定义新能效及功率密度水平

如今，GaN 功率晶体管在几种不同的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 应用中采用。

其栅极和输出电容比硅低 10 倍，这对于开关损耗占主导地位且需要快速开关的所有系统而言具有明显优势。当以高效率为目标（数据中心）或需要高效率以实现更高功率密度（所有具有空间/重量限制的应用）时，GaN 功率晶体管绝对是首选技术。

随着生产成本持续降低，GaN 取代硅的前景越发明朗。最后，如果 GaN 确实在功率电子器件的所有关键方面都有上佳表现：成本、可靠性、性能、易用性、设计灵活性、多源极和供应链成熟度，该行业将没有理由再继续使用传统硅材料。

当前，GaN 在消费者和数据通信/电信领域的应有正在显着增长。在其他领域，GaN 解决方案正处于设计阶段，随着时间的推移也会逐步采用。

CGD ICeGaN® 650 V GaN 技术可在许多应用中替代传统硅 MOSFET 晶体管，可降低开关损耗，提高效率，而且与更传统的硅方法相比，更小、更轻。 但其主要优势在于真正的易用性：可直接连接到标准栅极驱动器，无需钳位组件和/或驱动电路。采用 GaN 时存在的许多障碍并不适用于 ICeGaN®：CGD 器件工作方式与传统 MOSFET 相同。因此，MOSFET 的优势，如安全噪声裕度、可靠的电压电平和简单的电源，也同样适用于 ICeGaN®。