降低总拥有成本/运营成本及资本支出

日益增长的数据交换、计算和存储需求正在推动超大规模数据中心（目前全球超过 700 个）的急剧增长和 5G 基础设施的稳健部署。 这意味着对功率需求显着增加，进而有利于采用 GaN 作为终极技术，实现最高效率，降低功率损耗。

数据中心的需求一是在服务器和机架层面（数据中心中的服务器）最大限度地扩大数据计算空间，二是在单位体积中提供更多功率，或在提供相同功率的情况下减少体积（例如，电信整流器）。这些需求恰好是 GaN 的优势：比起传统技术（如 Si 或 SiC MOSFET)，GaN 可以在更高频率下实现更高的效率。

CGD ICeGaN 最重要的特性是：易于使用，可即时设计，以及众多集成功能，可进一步提高效率和系统可靠性。还支持器件并联。

图腾柱 PFC，用于大功率 AC-DC

这是目前是最流行的 GaN 功率因数修正拓扑，可减少组件数量，提供最高的效率，还可轻松优化，降低整体系统成本。 在 3kW 系统上，65kHz 的效率超过 99%。

LLC 转换器，用于 DC-DC

这可能是最高效的 ZVS 拓扑，当采用热增强 SMD 封装的 GaN 时，可以实现前所未有的效率，其开关频率是 Si 晶体管的 3 倍，甚至更高。 在 3 kW 系统上，200kHz 的效率超过 98%。

根据系统要求和限制条件，CGD 认为，目前 3 kW SMPS 的整体效率可达 98%，这要归功于 GaN HEMT。在同步整流级采用 LV GaN HEMT 限制了在支持高达 2 倍功率密度所需的高频下实现最高效率。

数据中心——系统级（总拥有成本/运营成本和资本支出）

从陈旧的低效率电源技术转向 GaN 可以提高 2% 的效率（或降低 50% 的功率损耗），每台服务器每年的电力成本可降低两位数，每台服务器可节省超过 100 美元的资金。此外，卓越的效率支持安装更少的具有相同功率等级的服务器，从而节省了总空间消耗。 CGD 估计，在服务器 SMPS 中大规模采用 GaN，可实现 10% 以上的运营成本削减和高达 10% 的资本支出削减。1