650 V / 130 mOhm GaN HEMT H2系列，具有 ICeGaN® 栅极、电流检测和 NL³ 电路

CGD65B130SH2 是一种增强模式硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率晶体管，利用 GaN 的独特材料特性为各种电子器件应用提供高电流、高击穿电压和高开关频率。

CGD65B130SH2 采用 CGD ICeGaN® 栅极技术，可兼容几乎所有栅极驱动器和控制器芯片。集成电流检测功能，无需单独电流检测电阻器，因此减少了功率损耗。无需外部检测电阻，器件可直接焊接到接地平面的大面积覆铜区域，提高了热性能，简化了热设计。

CGD H2 系列晶体管系列采用创新 NL³（空载和轻载）电路，与 GaN 开关一同集成在晶片上，功耗创历史新低。

采用 DFN 5x6 SMD 封装，支持高频操作，同时确保了最高的热性能。

应用：

• PSU、工业 SMPS 和逆变器
• AC/DC 和 DC/DC 转换器
• AC 逆变器
• USB PD 和快充
• AC 适配器
• 游戏 PSU 和笔记本电源适配器
• 电脑电源
• LED 照明
• 高功率 D 类音频产品
• 电视电源和无线电源
• 光伏逆变器

拓扑：

• 准谐振反激和有源钳位反激
• 图腾柱和单开关 PFC
• 高频 LLC、PSFB DC/DC 转换器
• Class D 和 Class E