P2 系列 650 V / 55 mΩ GaN HEMT，带 ICeGaN® 栅极

CGD65C055SP2 是一款利用增强模式常关断硅基 GaN 优越材料属性的 650 V 功率晶体管，适用于高功率应用，可提供高电流、高击穿电压和高开关频率。其设计的核心是 CGD 标志性的 ICeGaN® 栅极技术，该技术可提供 3 V 阈值电压、真正的 0 V 关断功能以及9-20 V 的栅极驱动电压范围。这确保了与几乎所有可用的Si MOSFET, SiC 和 IGBT 栅极驱动器和控制器芯片的兼容性。

该功率晶体管采用带有可湿焊盘的紧凑、热优化型 10x10 mm² 封装，专为实现底端冷却和出色的热阻而设计，非常适合具有严格性能标准的数千瓦应用。

应用：

• 工业、数据中心和电信 SMPS
• 工业电机驱动器
• 光伏逆变器
• 不间断电源
• 储能系统

拓扑：

• 基于单端、半桥、全桥和三相拓扑的 AC/DC 和 DC/DC 转换器，具有硬开关和软开关配置
• 无桥图腾柱 PFC 充分提高效率
• DC/DC 谐振转换器
• 降压和升压转换器
• DC/AC 逆变器