CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

诚邀您于 8 月 29 至 31 日莅临上海新国际博览中心参观 2G18 展位

2023 年 8月4日

英国剑桥讯 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发并大批量生产了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 将首次参展 PCIM Asia，这是中国享誉行业的专业展会，专注于电力电子技术及其在智能移动、可再生能源和能源管理方面的应用。在活动期间，CGD 将在中国首推其第二个易用可靠的 ICeGaN™ GaN HEMT 产品系列。此外，CGD 将在展台中进行完整的产品演示，还将进行一场主题演讲和两场技术应用展示。

Cambridge GaN Devices 首席技术官 Florin Udrea 教授将于 8 月 29 日（星期二）上午 10:00 发表开幕主题演讲，演讲标题为：“新一代氮化镓功率器件；突破易用性和可靠性的极限”。 8 月 29 日（星期二）上午 11:25，CGD 高级首席应用工程师 Martin Cheung 将发表“降低高性能充电器拓扑中的稳态损耗”演讲；8 月 30 日（星期三）上午 10:55，CGD 应用工程总监 Peter Comiskey 还将发表“调整 GaN 的开关性能和改进并联运行表现”演讲。

CGD 首席商务官 Andrea Bricconi 表示：“CGD 非常重视中国和亚洲市场，我们不断扩大产品组合，并希望向全球市场推出创新、易用、坚固且可靠的新型 GaN 解决方案。PCIM Asia 将见证 CGD H2 系列 ICeGaN™ HEMT 解决方案在中国的初次亮相。这是我们第一次参与这一亚洲领先的电力盛会，我们非常高兴将与现有客户和潜在新客户深入交流，了解其应用需求，以便提供更能满足其要求的解决方案。”

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关于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。