CGD 生产的易于使用、坚固可靠的 ICeGaN GaN HEMT 现已大量上市

单片 SMART GaN HEMT“可像硅一样驱动”；减少了 BOM 数量；提供一流的可靠性能

(2022 年 11 月 15 日，英国剑桥讯）

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，开发了一系列基于 GaN 的节能功率器件，以实现更环保的电子产品。今天宣布其 ICeGaN™ 智能 HEMT、单片集成功率解决方案现已可以批量出货。此外，业界首个易于使用和可扩展的 650V GaN HEMT 系列也有望成为业界最耐用的 GaN 平台。

CGD 创始人兼首席执行官 Giorgia Longobardi 博士表示：“我们早已发现了氮化镓的主要价值。Cambridge GaN Devices 公司所开发的可靠易用器件，可以帮助设计工程师利用 GaN 提供效率优势，并为可持续发展提供相关产品和系统。”

与其他分立或混合解决方案不同，CGD 的 ICeGaN HEMT 为完全集成的纯 GaN 器件。这种方法可带来以下关键优势：首先，器件稳定、可靠、驱动简单，可以使用内部 GaN 接口连接到栅极。器件还可表现出 3 V 左右的高电压性能，消除了开机时的损坏风险，并拥有高达 20 V 的扩展电压范围。此外，芯片上还包括电流感应、用于安全关断和栅极保护的米勒钳位，以及集成的 ESD 保护。最后，无需负电压要求，就可以避免动态 RDS(on) 随时间推移而退化。

与其他 GaN 器件相比，低侧和半桥拓扑结构的设计者可以标准化硅栅极驱动器并减少 BOM 数量。

CGD 的 ICeGaN HEMT 目前可按生产订单批量生产和分销，产品拥有一系列独特的内在功能，使器件的可靠性远高于目前最先进的 GaN 竞争产品。这是由于其具有较高的电压阈值和较高的电压范围，在较低的温度下具有较强的栅极电压箝位作用，具有较高的栅极过压裕度以及较高的 dV/dt 和 dI/dt 抗扰度。由于暴露于动态 Ron 应力下的时间较少，因此直流电压的灵活性(9-20 V) 和高效的电流感应也有助于实现业界领先的器件坚固性。

CGD 创始人兼首席执行官 Giorgia Longobardi 博士表示：“我们的使命是作出决定并实施高效、可持续的解决方案。我们的目标是实现四个关键价值：可持续发展、知识、创新与合作。ICeGaN 智能 HEMT 系列的单片集成功率解决方案实现了我们的短期目标，客户已就其易用性对我们进行了反馈，‘CGD 的 GaN 可以在我们的 65W 系统上工作，并支持类似于硅的高栅极驱动电压。’现在我们很高兴地宣布，目前我们的 ICeGaN 器件已大批量上市，欢迎世界各地的工程师选购。”

关于 Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices（简称 CGD)是一家是从剑桥大学分化出去的无晶圆半导体公司，由 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，公司成立的初衷是开发一项与功率器件有关的革命性技术。我们的使命是通过轻松高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 投身 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发和商业化运作，能够激发能效和紧凑性层面的根本性变革，确保产品适合投入大批量生产。CGD 的 ICeGaN™ 技术有强大的知识产权储备作为保护——作为一家拥有远大抱负的公司，CGD 依靠领先的创新技能不断充实完善其知识产品储备。除了数百万的种子基金和 A 轮私人投资之外，CGD 迄今已成功拿下了四个 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 资助项目。CGD 团队专业实力过硬，熟悉商业运营规律，在功率电子市场积累了广泛的口碑基础，这些都是其专有技术能够迅速展现市场牵引力的资本。

联系方式 Andrea Bricconi, VP Business Development CGD | +49 1732410796 [email protected] Jeffreys Building, Suite 8, Cowley Road, Cambridge CB4 0DS

代理商：Nick Foot, BWW Communications | [email protected] | +44-7808-362251