Cambridge GaN Devices 总部迁入新址，办公空间扩大一倍

（剑桥，2022 年 9 月 22 日讯）

Cambridge GaN Devices (CGD)于近日正式入驻圣约翰创新园 (St John’s Innovation Park) ——这是位于剑桥市中心之外最成熟的科技研发中心。

由剑桥大学分割出来的 CGD，是一家无晶圆厂半导体公司，致力于开发一系列基于 GaN 的节能功率器件，以实现更环保的电子产品。

这次乔迁让公司的设施面积扩大了一倍，达到367平方米，既满足了 CGD 持续增长和扩员的需求，又顺势令其进入了北剑桥科技集群的中心。

CGD 的当前市值超过 300 亿美元，去年完成了 A 轮融资，筹得 950 万美元的资金，随后被英国商业天使协会授予年度深度技术投资奖，并被《商业周刊》评为环保电子器件类年度最佳技术扩展公司。

CGD 创始人兼首席执行官 Giorgia Longobardi 博士表示：“协作与创新是我们工作方式的核心支柱。迁入一个面积广阔的园区，置身于同样专注于开创性研发事业的、志同道合的公司之间，对我们来说非常有吸引力，也是我们选择入驻圣约翰创新园的主要原因。这个园区的地理位置、户外空间及其对于改善办公环境 ESG 足迹的承诺也很吸引我们。希望能够在新的办公空间里接待众多参观者和合作伙伴，让他们感受我们独特的企业特质，陪伴我们一起度过这段激动人心的时光，迎接企业的扩展。”

圣约翰学院投资财产经理 Suzie Wood 补充道：“圣约翰学院致力于提高可持续发展水平，所以我们特别高兴 Cambridge GaN Devices 能够入驻圣约翰创新园，这是一家为日常电子元件开发富有创造性的绿色解决方案的公司，他们尊重地球的自然资源，正在通过自己的努力为我们的子孙后代创造一个更具可持续性的未来。”

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices（简称 CGD) 是一家是从剑桥大学分化出去的无晶圆厂半导体公司，由 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，公司成立的初衷是开发一项与功率器件有关的革命性技术。我们的使命是：交付最高效易用的晶体管，塑造功率电子元件的未来。CGD 投身 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发和商业化运作，能够激发能效和紧凑性层面的根本性变革，确保产品适合投入大批量生产。

CGD 的 ICeGaN™ 技术有强大的知识产权储备作为保护——作为一家拥有远大抱负的公司，CGD 依靠领先的创新技能不断充实完善其知识产品储备。除了数百万的种子基金和 A 轮私人投资之外，CGD 迄今已成功拿下了四个 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 资助项目。CGD 团队专业实力过硬，熟悉商业运营规律，在功率电子市场积累了广泛的口碑基础，这些都是其专有技术能够迅速展现市场牵引力的资本。